专注碳化硅 (SiC) 外延片研发与生产13年
全球碳化硅外延片主要生产商
2013年6月4日，欧洲杯下单平台·官方网站-APP下载开始可提供n型、p型外延片： 结合N型参杂：可以提供单极型SiC功率器件：SBD（JBS、MPS）（肖特基势垒二极管、pn结肖特基势垒复合结构）、MOSFET（金属-氧化层-半导体-场效晶
2013年2月，公司已经成功完成对P型外延层的研发。已经可以向客户提供P型外延片及P型外延层生长。 掺杂元素Al； 外延厚度0.5~5um，容差±10%，均匀性3%； 掺杂深度5E15~1E19cm-3，容差±15%，均匀性
公司于2009年1月7日成立以来，经过3年的筹建、研发、调试，到后来规范化一系列准备工作后，于2012年正式申请ISO 9001：2008认证，并于2012年12月顺利通过审查，成功获得了ISO 9001：2008认证。
2012 ECSCRM在俄罗斯圣彼得堡于9月2日至9月6日举行, 来自26个国家超过500位参会人员参加了这次会议。 该会议主要是讨论关于碳化硅(SiC)和其他相关材料国际上的最新进展，内容包括晶体及
2011年6月，第三代半导体碳化硅材料和器件研发及产业化创新科研团队。团队带头人王占国，中国科学院院士，半导体材料及材料物理学家。核心成员由6名研究院组成。研究方向为第三代宽禁带
